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电子元器件详细资料 » IC[27029] » SI3443BDV-T1-GE3
型号:SI3443BDV-T1-GE3类别:FET - 单制造商:Vishay Siliconix
封装:6-TSOP(0.065",1.65mm 宽)描述:MOSFET P-CH 20V 3.6A 6-TSOP

详细参数

类别FET - 单
描述MOSFET P-CH 20V 3.6A 6-TSOP
系列TrenchFET®
制造商Vishay Siliconix
FET型MOSFET P 通道,金属氧化物
FET特点逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss)20V
电流_连续漏极(Id)0a025000C3.6A
开态Rds111最大2220a0IdwwwwVgs0a025000C60 毫欧 @ 4.7A,4.5V
Id时的Vgs(th)111最大2221.4V @ 250µA
闸电荷(Qg)0a0Vgs9nC @ 4.5V
输入电容(Ciss)0a0Vds-
功率_最大1.1W
安装类型表面贴装
封装/外壳6-TSOP(0.065",1.65mm 宽)
供应商设备封装6-TSOP
包装带卷 (TR)

供应商

深圳市芯脉实业有限公司骆0755-84507209
深圳市华创欧科技有限公司朱先生086-0755-23945755 83248872
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深圳市向鸿伟业电子有限公司李先生86-0755-82561519
深圳市春东电子有限公司朱先生/王小姐0755-82563615/82563213
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SI3443BDV-T1-GE3相关型号

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